近日，長(zhǎng)光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器-GSPRINT5514BSI。該產(chǎn)品基于先進(jìn)的背照式工藝打造，具備GSPRINT系列的高速、低噪聲、高動(dòng)態(tài)范圍等優(yōu)異特性，助力3C電子、半導(dǎo)體、SMT等諸多行業(yè)的應(yīng)用升級(jí)。產(chǎn)品的工程樣片即日起可訂購(gòu)，預(yù)計(jì)2025 年2月開始量產(chǎn)。

低噪聲、高靈敏度，助力工業(yè)應(yīng)用全面升級(jí)

CMOS圖像傳感器的靈敏度主要由三個(gè)因素決定，分別為像素尺寸、讀出噪聲以及量子效率。在以往的工業(yè)全局快門高速產(chǎn)品中，三者往往很難兼容。GSPRINR5514BSI作為一款高速全局快門產(chǎn)品，將上述三個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化提升，以適應(yīng)最新的工業(yè)檢測(cè)的需求。GSPRINT5514BSI采用了5.5μm的大像素設(shè)計(jì)，有效分辨率為4608(H) x 3072(V)，相比較同等光學(xué)尺寸的已有GSPRINT系列產(chǎn)品，像元面積提升了50%。同時(shí)得益于先進(jìn)的電荷域全局快門像素設(shè)計(jì)，使得其讀出噪聲在全速模式下小于2e-, 其讀出噪聲水平直接媲美科學(xué)級(jí)GSENSE系列產(chǎn)品。另外，GSPRINT5514BSI采用了先進(jìn)的背照式生產(chǎn)工藝，使得其峰值量子效率可達(dá)86%，和同等光學(xué)尺寸的GSPRINT系列前照式產(chǎn)品相比，量子效率提升23%。以上三點(diǎn)性能的提升，極大提升了芯片的響應(yīng)靈敏度，以降低在工業(yè)場(chǎng)景下的光源強(qiáng)度，減少光污染。

紫外、可見光、近紅外，拓展行業(yè)新應(yīng)用 　

GSPRINT5514BSI不僅在可見光譜段具有較高的峰值量子效率，同時(shí)兼顧了芯片在紫外以及近紅外的響應(yīng)。芯片區(qū)分帶有微透鏡和不帶微透鏡的兩個(gè)版本，不帶微透鏡的版本芯片，其在200-300nm之間，平均量子效率達(dá)到20%。對(duì)于帶微透鏡的芯片，兼顧了可見光和近紅外的應(yīng)用，在800nm波長(zhǎng)下，量子效率達(dá)到40%以上。GSPRINT5514BSI寬譜段響應(yīng)的特性，使其可以適配更多的工業(yè)場(chǎng)景以及拓展更多的應(yīng)用，如工業(yè)透明材料檢測(cè)，運(yùn)動(dòng)捕捉等。GSPRINT5514BSI QE曲線高速、高動(dòng)態(tài)，提升檢測(cè)精度和效率 　

GSPRINT5514BSI繼承了GSPRINT系列高幀頻、高動(dòng)態(tài)的特性。該產(chǎn)品支持12bit和10bit ADC輸出，其幀頻分別為350fps和670fps，最高數(shù)據(jù)率達(dá)到94.84Gbps，完美匹配目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的100GiGE相機(jī)接口。同時(shí)，為解決某些行業(yè)面臨的高反射物體成像的問題，GSPRINT5514BSI分別支持雙增益HDR（Dual Gain HDR）和多斜率HDR（Multiple-slope HDR）兩種模式。在雙增益HDR模式下其動(dòng)態(tài)范圍最高可達(dá)77.5dB。GSPRINT5514BSI的以上特性，也使其成為3D AOI、SPI等結(jié)構(gòu)光工業(yè)方案以及高速攝影領(lǐng)域的理想選擇。

更高兼容度，用戶更友好 　

GSPRINT5514BSI采用454 pins 陶瓷μPGA封裝，封裝尺寸為42.00mm x 38.00mm，且管腳與GSPRINT4510、GSPRINT4521兼容，更加方便老用戶的開發(fā)集成。芯片提供黑白和彩色兩個(gè)版本。