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長光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器

近日,長光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器-GSPRINT5514BSI。該產(chǎn)品基于先進的背照式工藝打造,具備GSPRINT系列的高速、低噪聲、高動態(tài)范圍等優(yōu)異特性,助力3C電子、半導體、SMT等諸多行業(yè)的應用升級。產(chǎn)品的工程樣片即日起可訂購,預計2025 年2月開始量產(chǎn)。

近日,長光辰芯發(fā)布高速背照式全局快門CMOS圖像傳感器-GSPRINT5514BSI。該產(chǎn)品基于先進的背照式工藝打造,具備GSPRINT系列的高速、低噪聲、高動態(tài)范圍等優(yōu)異特性,助力3C電子、半導體、SMT等諸多行業(yè)的應用升級。產(chǎn)品的工程樣片即日起可訂購,預計2025 年2月開始量產(chǎn)。

 

低噪聲、高靈敏度,助力工業(yè)應用全面升級

CMOS圖像傳感器的靈敏度主要由三個因素決定,分別為像素尺寸、讀出噪聲以及量子效率。在以往的工業(yè)全局快門高速產(chǎn)品中,三者往往很難兼容。GSPRINR5514BSI作為一款高速全局快門產(chǎn)品,將上述三個參數(shù)進行優(yōu)化提升,以適應最新的工業(yè)檢測的需求。GSPRINT5514BSI采用了5.5μm的大像素設計,有效分辨率為4608(H) x 3072(V),相比較同等光學尺寸的已有GSPRINT系列產(chǎn)品,像元面積提升了50%。同時得益于先進的電荷域全局快門像素設計,使得其讀出噪聲在全速模式下小于2e-, 其讀出噪聲水平直接媲美科學級GSENSE系列產(chǎn)品。另外,GSPRINT5514BSI采用了先進的背照式生產(chǎn)工藝,使得其峰值量子效率可達86%,和同等光學尺寸的GSPRINT系列前照式產(chǎn)品相比,量子效率提升23%。以上三點性能的提升,極大提升了芯片的響應靈敏度,以降低在工業(yè)場景下的光源強度,減少光污染。

紫外、可見光、近紅外,拓展行業(yè)新應用  

GSPRINT5514BSI不僅在可見光譜段具有較高的峰值量子效率,同時兼顧了芯片在紫外以及近紅外的響應。芯片區(qū)分帶有微透鏡和不帶微透鏡的兩個版本,不帶微透鏡的版本芯片,其在200-300nm之間,平均量子效率達到20%。對于帶微透鏡的芯片,兼顧了可見光和近紅外的應用,在800nm波長下,量子效率達到40%以上。GSPRINT5514BSI寬譜段響應的特性,使其可以適配更多的工業(yè)場景以及拓展更多的應用,如工業(yè)透明材料檢測,運動捕捉等。GSPRINT5514BSI QE曲線高速、高動態(tài),提升檢測精度和效率  

GSPRINT5514BSI繼承了GSPRINT系列高幀頻、高動態(tài)的特性。該產(chǎn)品支持12bit和10bit ADC輸出,其幀頻分別為350fps和670fps,最高數(shù)據(jù)率達到94.84Gbps,完美匹配目前市場上最先進的100GiGE相機接口。同時,為解決某些行業(yè)面臨的高反射物體成像的問題,GSPRINT5514BSI分別支持雙增益HDR(Dual Gain HDR)和多斜率HDR(Multiple-slope HDR)兩種模式。在雙增益HDR模式下其動態(tài)范圍最高可達77.5dB。GSPRINT5514BSI的以上特性,也使其成為3D AOI、SPI等結(jié)構(gòu)光工業(yè)方案以及高速攝影領(lǐng)域的理想選擇。

更高兼容度,用戶更友好  

GSPRINT5514BSI采用454 pins 陶瓷μPGA封裝,封裝尺寸為42.00mm x 38.00mm,且管腳與GSPRINT4510、GSPRINT4521兼容,更加方便老用戶的開發(fā)集成。芯片提供黑白和彩色兩個版本。

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