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美光宣布量產(chǎn)第九代 NAND 閃存技術(shù)產(chǎn)品

美光 G9 NAND 技術(shù)具備高達 3.6 GB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫帶寬。該項 NAND 新技術(shù)為人工智能(AI)及其他數(shù)據(jù)密集型應用場景帶來出色的性能,適用于個人設備、邊緣服務器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。

近日,美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開始出貨,成為業(yè)界首家實現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。  

美光 G9 NAND 技術(shù)具備高達 3.6 GB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫帶寬。該項 NAND 新技術(shù)為人工智能(AI)及其他數(shù)據(jù)密集型應用場景帶來出色的性能,適用于個人設備、邊緣服務器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。  

領先技術(shù)鑄就卓越性能   

美光 G9 NAND 技術(shù)憑借卓越的 NAND 輸入/輸出(I/O)速率,可滿足數(shù)據(jù)密集型工作負載的高吞吐需求,其數(shù)據(jù)傳輸速率比當前 SSD 中的 NAND 技術(shù)要快 50%。2 同時,與市場上現(xiàn)有的同類 NAND 解決方案相比,美光 G9 NAND 的每顆芯片寫入帶寬和讀取帶寬分別高出 99% 和 88%。3 這些優(yōu)勢共同提升了 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能與能效。

與前一代 NAND 產(chǎn)品相同,美光 G9 NAND 采用 11.5mm x 13.5mm 的緊湊封裝,比同類產(chǎn)品節(jié)省 28% 的空間,是卓越的小尺寸、高密度 NAND。4 在更小的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的密度,從而最大限度地增加了各種用例的設計選擇。

美光 2650 SSD 憑借 G9 NAND 技術(shù)實現(xiàn)卓越性能  

美光 2650 NVMe SSD 集成了先進的 G9 TLC NAND 技術(shù),在 PCMark? 10 測試中表現(xiàn)優(yōu)異,在日常計算方面帶來一流的用戶體驗。  

美光 2650 NVMe SSD 提供業(yè)界領先的可靠性,其動態(tài) SLC 高速緩存功能可顯著提升性能,加快寫入速率。美光 2650 NVMe SSD 提供了可與 PCIe 4.0 媲美的理論性能,連續(xù)讀取速率高達 7000 MB/s。與同類競品相比,美光 2650 NVMe SSD 表現(xiàn)出色,連續(xù)讀取性能提升高達 70%,連續(xù)寫入性能提升高達 103%,隨機讀取性能提升高達 156%,隨機寫入性能提升高達 85%。 這些驚艷的數(shù)據(jù)彰顯了美光致力于突破技術(shù)界限,為客戶帶來卓越性能的堅定承諾。   

美光 G9 NAND 不僅可用于面向客戶端 OEM 的美光 2650 SSD,還可用于客戶端組件和英睿達(Crucial)SSD 消費類產(chǎn)品。

THE END
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