三星2月27日宣布開發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲(chǔ)芯片，這也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品，達(dá)36GB，帶寬高達(dá)1280GB/s。與8層堆疊HBM3產(chǎn)品相比，這款新品在容量、帶寬方面都提高了50%以上，可顯著提高人工智能（AI）訓(xùn)練、推理速度。

三星電子存儲(chǔ)產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示，業(yè)界AI服務(wù)供應(yīng)商越來越需要更高容量的HBM，而我們開發(fā)的全新HBM3E 12H產(chǎn)品正是為滿足這一需求設(shè)計(jì)的。

技術(shù)方面，三星HBM3E 12H采用先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF），使12層產(chǎn)品具有與8層HBM芯片相同的高度，以滿足當(dāng)前HBM封裝要求。該技術(shù)預(yù)計(jì)將在未來帶來更多優(yōu)勢(shì)，特別是更高層數(shù)堆疊方面，因?yàn)闃I(yè)界正在努力減輕芯片裸片變薄帶來的翹曲問題。三星不斷降低NCF材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)了當(dāng)前業(yè)界最小的芯片間隙（7微米），同時(shí)消除了層間空隙。與此前的HBM3 8H產(chǎn)品相比，新技術(shù)的進(jìn)步使得垂直密度提高了20%以上。

三星表示，TC NCF技術(shù)還能夠通過在芯片之間使用不同大小的凸塊，來改善HBM的熱性能。在芯片鍵合層面，較小的凸塊用于信號(hào)傳輸區(qū)域，而較大的凸塊用于需要散熱的區(qū)域；該方法還有助于提高產(chǎn)品產(chǎn)量。

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