據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子先進(jìn)封裝（AVP）事業(yè)組正著手新一代DRAM技術(shù)「Cache DRAM」，目標(biāo)2025年開始量產(chǎn)。據(jù)悉，該項(xiàng)技術(shù)與既有HBM相比，Cache DRAM功耗效率將改善60%，數(shù)據(jù)移動(dòng)延遲將減少50%。
在封裝技術(shù)上，Cache DRAM與HBM也有較大區(qū)別，HBM目前是水平連接至GPU，但Cache DRAM將垂直連接于GPU。消息稱Cache DRAM僅需一個(gè)芯片就能存儲(chǔ)一個(gè)HBM的數(shù)據(jù)量。
值得觀察的是，三星為發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù)，不僅一年內(nèi)投資超過(guò)2兆韓元（約合15億美元）增設(shè)封裝產(chǎn)線，2023年也新設(shè)AVP事業(yè)組，加速追趕臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
相關(guān)人士認(rèn)為，隨著實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程愈來(lái)愈困難，3D封裝將成為半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵，而三星若要2030年實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)半導(dǎo)體第一目標(biāo)，勢(shì)必得投資封裝技術(shù)。
訪談
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