在信息爆炸的時代，信息存儲尤為關(guān)鍵。記者了解到，近期我國科研人員突破了原子級平整反鐵磁金屬單晶薄膜的關(guān)鍵制備技術(shù)，使超快速響應超高密度反鐵磁隨機存取存儲器的研制成為可能，有望大幅提升手機、計算機等信息產(chǎn)品運行速度。

該研究由北京航空航天大學材料學院磁性功能材料研究團隊、華中科技大學物理學院、中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所加工平臺合作完成，相關(guān)成果近日在國際學術(shù)期刊《自然》雜志上發(fā)表。

磁性功能材料是大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲機械硬盤的核心材料，相較于傳統(tǒng)半導體存儲器，磁存儲器件依賴非易失量子自旋屬性，儲存能力更加穩(wěn)定。反鐵磁材料便是一類新型磁存儲材料，作為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，相鄰數(shù)據(jù)位可以密排列以提升存儲密度，并且可使數(shù)據(jù)寫入速度大幅提升。

據(jù)了解，此前已有的反鐵磁存儲器件的電信號輸出，主要依賴面內(nèi)電子輸運的各向異性磁電阻效應，高低阻態(tài)之間的電阻差值很小，常溫下數(shù)據(jù)寫入后難以有效讀出，導致出現(xiàn)亂碼等無效儲存情況。

“就像流水一樣，高低落差越大，水流越順暢。這里的高低阻態(tài)之間的電阻差值變大，數(shù)據(jù)寫入后才能被電路更清晰地識別出來?！痹撜撐牡谝粏挝煌ㄓ嵶髡?、北京航空航天大學材料學院教授劉知琪舉例說。

劉知琪介紹，科研團隊突破了原子級平整反鐵磁金屬單晶薄膜的關(guān)鍵制備技術(shù)，通過界面應力誘導非共線反鐵磁單晶薄膜的晶格四方度變化，產(chǎn)生了單軸磁各向異性，以及顯著的反常霍爾效應。基于該反?；魻栃?，實驗發(fā)現(xiàn)了全反鐵磁異質(zhì)界面（共線反鐵磁/非共線反鐵磁）的交換偏置效應，從而設計制備出多層膜新型全反鐵磁存儲器件，大幅提升了數(shù)據(jù)讀出可靠性。

“新型反鐵磁存儲器件實現(xiàn)了垂直電子輸運，對比原有面內(nèi)電子輸運的反鐵磁存儲器件，它的常溫高低阻態(tài)差值提升了近3個數(shù)量級，從而有望使信息存儲速度和密度大幅提升。”該論文另一通訊作者、北京航空航天大學材料學院教授蔣成保說。