為更好地滿足超大規(guī)模的數據應用，憶聯發(fā)布數據中心級NVMe SSD--UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產品使用自研控制器與長江存儲128L 3D NAND，專為數據中心級業(yè)務場景而設計。UH711a單盤容量最高達7.68TB，能為數據庫、塊存儲、虛擬化、云主機等應用提供高性能的存儲方案，幫助用戶獲得更優(yōu)的TCO。

1、性能全面調優(yōu)，業(yè)務應用顯著提速

UH711a支持高速PCIE Gen4接口，針對數據中心級業(yè)務場景及負載Workload IO模型，在各類場景可提供全面的性能優(yōu)化能力，產品順序讀寫性能高達7200/4500 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/230K IOPS。

同時，針對互聯網典型應用場景，采用軟化架構設計，并優(yōu)化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件資源配置，提升后端NAND顆粒并發(fā)效率，保障互聯網典型應用場景盤片性能。

2、SR-IOV with QoS升級2.0，助力虛擬化業(yè)務降本增效

UH711a通過使能SR-IOV技術優(yōu)化云業(yè)務虛擬機場景，相比SPDK方案優(yōu)勢顯著。SR-IOV2.0進一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度，VF間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場景下分別優(yōu)化到了3%和5%，目前憶聯SR-IOV性能及隔離度已達業(yè)界領先水平。

3、智能多流2.0，保障業(yè)務長期且穩(wěn)定運行

采用全新K-mean智能聚類算法，提供更精細的數據類型識別顆粒度，進一步提高GC時的效率，使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%。通過在盤片內部將2種數據寫入不同的流，降低盤片的寫放大系數，提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產品生命周期后期階段的可靠性。

此外，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范，不僅與系統(tǒng)配合實現端到端的保護，也能在盤內實現獨立的端到端的保護機制，確保盤內整個通路的數據安全，從而為數據中心在多種極端場景下的正常運維提供雙重保護。

4、自封顆粒，釋放介質原生潛力

依托憶聯強大的自主封測技術，UH711a通過使能自封TLC介質，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質應用成本，充分挖掘介質的原生潛力，提供更好的IO性能。

5、憶聯新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

E3.S作為面向云服務、企業(yè)數據中心的NVMe SSD新形態(tài)標準，憑借擴展性更強，以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢，已成為數據中心SSD未來發(fā)展方向。憶聯推出的UH711a E3.S形態(tài)，外形尺寸方面，長112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm，單盤容量最高達15.36TB，支持NVMe 1.4。使用新形態(tài)后，產品順序讀寫性能高達7200/4400 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/240K IOPS。該系列產品將于2023年實現量產。